ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ ПЛЕНОК ДИОКСИДА КРЕМНИЯ
DOI
10.33286/2075-8693-2019-42-99-106
Авторы
Зима Валерий Николаевич – канд. техн. наук, сотрудник АО «ОНИИП». E-mail: trs@oniip.ru.
Кузнецов Александр Николаевич – сотрудник АО «ОНИИП». E-mail: trs@oniip.ru.
Кузнецова Светлана Александровна – сотрудник АО «ОНИИП». E-mail: trs@oniip.ru.
Ключевые слова
плазмохимическое травление, пленки диоксида кремния, скорость травления, магнетронное распыление, скорость осаждения.
Аннотация
Рассмотрены вопросы плазмохимического травления пленок диоксида кремния (SiO2), полученных реактивным высокочастотным магнетронным распылением. Показано, что скорость плазмохимического травления пленок SiO2 зависит от технологических режимов их формирования. Определены условия формирования пленок диоксида кремния, при которых скорость их плазмохимического травле-ния минимальна 0,19–0,23 нм/c.
Литература
1. Кайно Г. Акустические волны : устройства, визуализация и аналоговая обработка сигналов : пер. с англ. М. : Мир, 1990. 656 с.
2. Ivira B. Modeling for temperature Compensation and Temperature Characterization of BAW Resonators at GHz Frequencies // IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics and Frequencies control. 2008. Vol.5, pp. 421–430.
3. Mansfeld G., Alekseev N., Polsikova N. Bragg Mirrors Basic Properties, Resonant Frequencies and Quality Factor of SMR´s // IEEE Ultrasonics Symposium. 2010. P. 404–407.
4. Capilla J., Olivares J., Clement M. Ta2O5/SiO2 insulating acoustic mirrors for AlNbased X-band BAW resonators // IEEE International Ultrasonics Symposium Proceedings. 2011. P. 1704–1708.
5. Зима В. Н., Танская Т. Н., Козлов А. Г. Тонкопленочный СВЧ резонатор с брэгговским отражателем // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. 2014. Том 14. № 4. С. 11–14.
6. Kubo R., Fuji H., Kawamura H. Fabrication of 5GHz Band Film Bulk Acoustic Wave Resonators Using ZnO Thin Film // IEEE Ultrasonics Symposium. 2003. P. 166–169.
7. Chen Q., Shun T., Wang Q.-M. Materials Property Dependence of the Effective Electromechanical Coupling Coefficient of Thin Film Bulr Acoustic Resonators // Proceedings of the 2004 IEEE International Frequency Control Symposium and Exposition. 2004. P. 11–17.
8. Dubois M.-A., Muralt P., Plessky V. BAW resonators based on aluminum nitride thin films. // IEEE Ultrasonics Symposium. 1999. P. 907–910.
9. Черняев В. Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров. М. : Радио и связь, 1987. 464 с.
10. Палатник Л. С., Папиров И. Н. Эпитаксиальные пленки. М. : Наука, 1971. 480 с.
11. D’Agostino R., Cramarossa F., Ferraro G. // J. Appl. Phys. 1981. Vol. 52, p. 1259.
12. Coburn J. W., Winters H. F. // J. Vac. Sci. Technol. 1979. Vol. 16 (2), p. 391.
13. Толливер Д., Новицки Р., Хесс Д. Плазменная технология в производстве СБИС/ под ред. Н. Айнспрука, Д. Брауна. М. : Мир, 1987. 469 с.
2. Ivira B. Modeling for temperature Compensation and Temperature Characterization of BAW Resonators at GHz Frequencies // IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics and Frequencies control. 2008. Vol.5, pp. 421–430.
3. Mansfeld G., Alekseev N., Polsikova N. Bragg Mirrors Basic Properties, Resonant Frequencies and Quality Factor of SMR´s // IEEE Ultrasonics Symposium. 2010. P. 404–407.
4. Capilla J., Olivares J., Clement M. Ta2O5/SiO2 insulating acoustic mirrors for AlNbased X-band BAW resonators // IEEE International Ultrasonics Symposium Proceedings. 2011. P. 1704–1708.
5. Зима В. Н., Танская Т. Н., Козлов А. Г. Тонкопленочный СВЧ резонатор с брэгговским отражателем // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. 2014. Том 14. № 4. С. 11–14.
6. Kubo R., Fuji H., Kawamura H. Fabrication of 5GHz Band Film Bulk Acoustic Wave Resonators Using ZnO Thin Film // IEEE Ultrasonics Symposium. 2003. P. 166–169.
7. Chen Q., Shun T., Wang Q.-M. Materials Property Dependence of the Effective Electromechanical Coupling Coefficient of Thin Film Bulr Acoustic Resonators // Proceedings of the 2004 IEEE International Frequency Control Symposium and Exposition. 2004. P. 11–17.
8. Dubois M.-A., Muralt P., Plessky V. BAW resonators based on aluminum nitride thin films. // IEEE Ultrasonics Symposium. 1999. P. 907–910.
9. Черняев В. Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров. М. : Радио и связь, 1987. 464 с.
10. Палатник Л. С., Папиров И. Н. Эпитаксиальные пленки. М. : Наука, 1971. 480 с.
11. D’Agostino R., Cramarossa F., Ferraro G. // J. Appl. Phys. 1981. Vol. 52, p. 1259.
12. Coburn J. W., Winters H. F. // J. Vac. Sci. Technol. 1979. Vol. 16 (2), p. 391.
13. Толливер Д., Новицки Р., Хесс Д. Плазменная технология в производстве СБИС/ под ред. Н. Айнспрука, Д. Брауна. М. : Мир, 1987. 469 с.
Для цитирования
Зима В. Н., Кузнецов А. Н., Кузнецова С. А. Плазмохимическое травление пленок диоксида кремния // Техника